به گزارش قدس آنلاین به نقل از ورج، شرکت توشیبا که این حافظه را تولید کرده یادآور شده است دستاورد یادشده می تواند صنعت ساخت حافظه های فلاش را به طور بنیادین دگرگون کند. زیرا از این طریق می توان حافظه های پرظرفیت تازه ای با هزینه کم تولید کرد.

حافظه های فلاش فعلی متشکل از مجموعه ای از ترانزیستورها هستند که با تعلق صفر یا یک به بیت های آنها به کار گرفته می شوند. بلوک های حافظه های فلاش یا به صورت دوبعدی (planar NAND) یا با کارآیی بیشتر و به صورت سه بعدی (۳D NAND) نصب شده و مورد استفاده قرار می گیرند.

برای افزایش ظرفیت ذخیره سازی اطلاعات در هر یک از این دو نوع حافظه های فلاش باید بتوان بلوک های موجود را به بخش های بیشتری تقسیم کرد تا توان ظرفیت داده در آنها بیشتر شود. تا به حال تولید حافظه فلاش با ظرفیت دو و سه بیت برای ذخیره سازی اطلاعات ممکن شده است. این نوع حافظه ها MLC و TLC نام گرفته اند.

تولید حافظه های QLC یک گام دیگر به پیش در این زمینه محسوب می شود. در این روش هر سلول حافظه به ۱۶ سطح با چهار لایه تقسیم می شود و در نهایت می توان ۴ بیت اطلاعات را در هر سلول ذخیره کرد. حفظ اطلاعات با ثبات، دقت و پایداری لازم در این روش ذخیره سازی به شدت فشرده کار دشواری است و تحقق این هدف کار ساده ای نبوده است.

توشیبا می گوید با استفاده از روش جدید می توان ۷۶۸ گیگابایت اطلاعات را در فضایی که فعلا برای ذخیره سازی ۵۱۲ گیگابایت اطلاعات به کار می رود، ذخیره کرد. همچنین از این طریق راه تولید حافظه های چند ده ترابایتی ارزان قیمت نیز هموار می شود. هنوز زمان عرضه انبوه و تجاری این تراشه ها به بازار اعلام نشده است.